刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓

刻蚀7微米深锑化镓

• 采用感应耦合等离子体源（2或13兆赫兹）进行反应离子刻蚀
• 感应耦合等离子体
• 射频驱动基板电极

结果

• 速率：2微米/分钟
• 对SiO2掩模的选择比25：1
• 良好的均匀性
• 光滑的表面
• 各向异性的外形