刻蚀GaN—刻蚀氮化镓

ICP Etching 感应耦合等离子体刻蚀

• 采用感应耦合等离子体源进行感应离子刻蚀（2 or 13.56 MHz） 
• 感应耦合等离子体 
• 13.56兆赫兹等离子体激励
• 工艺气体：基于氯气
• 射频驱动基板电极
• 速率：采用SiO2掩模时0.5-1 微米/分钟
• 采用光刻胶掩模时0.3微米/分钟
• 对SiO2选择比为5-10：1，对光刻胶选择比为1.15：1
• 各向异性的外形
• 清洁的刻蚀表面
• 低的离子引起的损伤

 刻蚀8微米深

• 具有90oC侧壁的各向异性刻蚀
• 速率：70 纳米/分钟（2英寸）
• 掩模：光刻胶
• 光滑90oC侧壁的选择比2：1
• 2英寸直径范围内的均匀性：公差小于+/- 3 %
• 非常光滑的侧壁