刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓

使用PlasmaProTMSystemRIE100 刻蚀GaAs/AlGaAs

  • 推荐刻蚀气体：SiCl4-Ar
  • 推荐使用的等离子体清洁气体：O2-SF6
  • 晶片最大直径200mm
 gaas-algaas-etch-vcsel 

  刻蚀速率

50-150nm/min (依赖与批处理的数量)

 均匀性

< ± 5 % (对于2英寸的晶片来说, 要剔除5mm边缘)

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感应耦合等离子体设备的资料：

  • ICP180
  • ICP180 Selective
  • ICP180 Sloped
  • ICP380

使用PlasmaPro System100 ICP180进行GaAs/AlGaAs刻蚀的技术

  • 推荐刻蚀气体：SiCl4, Ar
  • 推荐等离子体清洁气体 O2, SF6
  • 最大晶片直径100mm

 刻蚀速率

> 350nm/min

均匀性

< ± 2.5% (50mm晶片, 5mm 剔除区)

< ± 5 % (100mm 晶片, 7mm 剔除区)
工艺特点：
  • 不同批次间刻蚀速率和轮廓控制的重复性非常优异。
 gaasalgaas-etching 

使用PlasmaPro System100 with ICP180进行GaAs/AlGaAs刻蚀的技术

  • 推荐刻蚀气体：Cl2, SiCl4
  • 推荐等离子体清洁气体：O2, SF6
  • 最大晶片直径100mm 

刻蚀速率

> 1000nm/min

均匀性

< ± 5 % (100mm 晶片, 7mm 剔除区)

 工艺特点：

  • SiCl4/Cl2的化学特性恰好满足刻蚀的副产品挥发以及侧壁钝化的要求。由此可以制备得到光滑、低损害的刻蚀轮廓。
  • 不同批次间刻蚀速率和轮廓控制的重复性非常优异。
  gaasalgaas-etchg

使用PlasmaPro System100 with ICP180进行GaAs ICP刻蚀的技术

  • 推荐刻蚀气体：SiCl4, Ar
  • 推荐清洁气体： O2, SF6
  • 最大晶片100mm 

 刻蚀速率

> 200nm/min (依赖于刻蚀面积)

 均匀性

< ± 5 % (100mm 晶片, 7mm 剔除区)

工艺特点

  • SiCl4/Cl2的化学特性恰好可以满足刻蚀的副产品挥发的要求，由此可以制备得到光滑、低损害的刻蚀轮廓。不同批次间刻蚀速率和轮廓控制的重复性非常优异。
  gaas_icp_rie
使用Plasma Pro System100 ICP180对AlGaAs上的GaAs选择性刻蚀栅极凹槽的技术
  • 推荐刻蚀气体：BCl3, SF6
  • 推荐等离子体清洁气体O2, SF6
  • 晶片最大直径100mm
  gaas_icp-rie
使用Plasma Pro System100 ICP180对AlGaAs上的GaAs选择性刻蚀栅极凹槽的技术
  • 推荐刻蚀气体：BCl3, SF6
  • 推荐等离子体清洁气体O2, SF6
  • 晶片最大直径100mm

GaAs刻蚀速率

 > 10~50nm/min

AlGaAs选择性刻蚀

> 50:1

均匀性

< ± 5 % (100mm 晶片, 7mm 剔除区)
gaasalgaas-etching-selective 
使用PlasmaPro System100 ICP180对GaAs/AlGaAs进行掺杂刻蚀的技术
  • 推荐刻蚀气体：BCl3, SF6
  • 推荐等离子体清洁气体：O2, SF6
  • 晶片最大直径100mm
 gaasalgaas-etching_sloped 
 

刻蚀速率

> 350nm/min

均匀性

< ± 2.0% (50mm 晶片, 5mm 剔除区)

< ± 5 % (100mm 晶片, 7mm 剔除区)
 gaasalgaas-etching-sloped
使用PlasmaPro System100-ICP380进行GaAs 通孔刻蚀的技术
  • 推荐的刻蚀气体：BCl3-Cl2
  • 推荐的等离子体清洁气体：O2-SF6
  • 最大晶片直径150mm
 gaasalgaas-etching380 
 

 刻蚀速率

 > 2µm/min (导通孔直径50µm)

均匀性

< ± 4 % (晶片最大直径150mm, 7mm边缘剔除)   
 gaasalgaas-etching_380
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