• 采用感应耦合等离子体源（2或13兆赫兹）进行反应离子刻蚀• 感应耦合等离子体• 射频驱动基板电极
结果
• 速率：2.6 微米/分钟• 良好的均匀性• 对光刻胶的选择比大于12：1• 对SiO2掩模的选择比120：1
请点击这里 如果您希望得到更多的信息或帮助
