用于失效分析的Cu刻蚀（反应离子刻蚀）—刻蚀铜
无残余的铜刻蚀
牛津仪器的铜刻蚀工艺
技术
- 离子束溅射
- 失效分析用的ICP刻蚀
- 失效分析用的铜ICP刻蚀技术
- 铜的离子束刻蚀
使用PlasmaProTM System133 ICP380进行铜刻蚀
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推荐的刻蚀气体 |
BCl3, Cl2 |
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推荐的等离子体清洁气体 |
CF4, O2 |
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晶片尺寸 |
晶片最大直径300mm |
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Cu刻蚀速率 |
>100nm/min |
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晶片内部均匀性 |
<±6%（300mm直径的晶片剔除边缘7mm） |
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不同批次的均匀性 |
<±6% |
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铜的刻蚀选择比 |
对SiO2 >4:1 |
工艺优势
- ICP工具的可伸缩性同时为各向同性或各向异性刻蚀提供可能。
- 可以高效地去除大部分材质，无需其他工艺去除金属残留。
- 优异的工艺重复性
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使用Ionfab®300Plus 进行Cu的离子束刻蚀
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a. 经12小时80°C的烘烤。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟，也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟，也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。
工艺参数
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参数/工艺 |
Cu 刻蚀 |
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刻蚀直径 |
200 mm |
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掩模 |
光刻胶 |
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刻蚀气体 |
Ar |
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典型的刻蚀速率[nm/min] |
20nm/min |
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重复性[±%] |
< 3 |
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均匀性[±%] |
< 3 |
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对掩模的刻蚀选择性 |
> 1 |
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注释： 1. 边缘5mm范围除外，均匀性的定义见后文 2. 在沉积速率为最大值的50％以下时可以保证应力和均匀性的结果 |
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