刻蚀Cr—刻蚀铬
110 nm厚的 Cr刻蚀速率为20 nm/ min
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推荐刻蚀气体 |
Cl2, O2, He |
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推荐等离子体清洁气体 |
O2 |
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晶片尺寸 |
最大200mm |
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铬刻蚀速率 |
>15nm/min |
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均匀性 |
< ± 5% （直径200mm的晶片剔除边缘10mm） |
工艺特点
- Cl2-O2-He的化学特性恰好可以满足刻蚀的副产品挥发以及侧壁钝化的要求。由此可以制备得到光滑、低损害的刻蚀轮廓。
- 不同批次间刻蚀速率和轮廓控制的重复性非常优异。
- 扫描电镜图片
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| 对500nm厚的Cr进行各向异性刻蚀得到直径6 µm的点阵，AR-P 351掩模仍然保留，刻蚀速率为12 nm/ min，对掩模的刻蚀选择比为1: 1.2 感谢MPI Halle, Dr Milenin及Dr Jamois提供 |
对Cr层进行各向异性刻蚀得到直径500nm的孔洞阵列，洞壁宽100nm，厚150nm；ZEP掩模仍然保留；刻蚀速率为7 nm/ min，对掩模的刻蚀选择比为0.5 : 1。 感谢MPI Halle Dr Milenin, Dr Jamios提供 |
使用ICP380刻蚀100nm厚的Cr层直到石英衬底 |
