感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋
采用感应耦合等离子体-反应离子刻蚀技术刻蚀的20微米的碲化铋
相关产品: System100
速率> 20微米/小时
- 均匀性：100mm直径范围内公差+/- 4 %
- 对光刻胶的选择比大于1：1
MicroPelt Peltie冷却器和MicroPelt 热发生器。 采用微电子技术制造。 衬底是标准的硅/二氧化硅晶片。 采用带ICP380的Plasmalab System 100设备干法刻蚀热电式的碲化铋相关薄膜。
Couresty of Infineon Technologies AG Fraunhofer - IPM Freiburg, www.micropelt.com
