TiN的各向异性刻蚀—刻蚀氮化钛

• 在TiN中刻蚀出90nm宽线条
• 刻蚀速率大于100纳米/分钟（感应耦合等离子体刻蚀）
• 选择比：TiN：HSQ = 2-3.5：1
• 对栅极氧化物具有很高的选择比（最高80：1），因而可以过刻蚀
• 在150mm直径范围内均匀性公差小于± 3 %
• Cl/Br基的工艺气体