刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石
- 等离子体
- 离子束刻蚀
| 使用ICP源(13.56 MHz)的反应离子刻蚀 |  |
| 在蓝宝石上刻蚀80度侧壁 |
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刻蚀速率 |
65 nm/ min |
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均匀性 |
+/- 2.5 % (2“) |
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使用Ionfab300Plus (LC)对Al2O3 进行离子束刻蚀的技术
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| Ionfab 300Plus |
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处理室基本气压a |
<3e-7 Torr |
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进样基本气压b |
<1e-5 Torr |
a. 经12小时80°C的烘烤。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟，也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟，也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。
工艺参数
1. 衬底旋转和倾斜的Al2O3刻蚀。
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参数/工艺 |
Al2O3 刻蚀 |
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刻蚀直径 |
200 mm |
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掩模 |
光刻胶 |
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反应气体 |
Ar+ CHF3+O2 |
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典型刻蚀速率[nm/min] |
10nm/min |
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均匀性[±%]3 |
<3 |
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重复性[±%] |
<3 |
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对掩模的刻蚀选择比 |
>1 |
附注：
1. 需要对处理室进行常规的清洁和调节，有时需要对处理室进行清洗。
2. 宽边和窄边的刻蚀速率、选择性及成型有时会出现差异，以上给出的数据是基于宽边情形的。
3. 掩模如果没有特别说明，一般是使用光刻胶。
4. 轮廓数据要求原始掩模的轮廓>85°
标准的均匀性定义：
片内均匀性测量如下图所示5个点的数据：
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