• ICP65 适合小片和小尺寸晶片
• ICP180适合最大4英寸晶片
• ICP380适合最大8英寸晶片

结果

• 速率：0.4微米/分钟
• 对Al下方的SiO2层具有高选择比
• 对光刻胶掩模的选择比大于3：1
• 钝化/去除光刻胶时每条边的线宽损耗小于005微米

技术

• 采用感应耦合等离子体源（13.56兆赫兹）的反应离子刻蚀
• 感应耦合等离子体
• 射频驱动基板电极
• 衬底温度控制
• 基于溴化氢和氯气的多步工艺

联系我们