液氮制冷Si(Li)探头 : INCAPentaFET-x3
INCAPentaFET-x3是牛津仪器最新的30mm2有效面积的高性能Si(Li)能谱系统,分辨率与10mm2探头完全相同。在相同的工作条件下,INCAPentaFET-x3具有更高的计数率和工作效率和最优秀的分析性能。
- 更广泛的应用领域,从低计数率到高计数率
- 比10mm2能谱系统高达3倍的工作效率
- 或在1/3的束流下获得与10mm2能谱系统相同的计数率
- 低束流下更小的辐照损伤和样品污染
- 优秀的低能分析性能
- 有保证的能量分辨率
- 1k-10kcps谱峰和分辨率变化<1eV
- 探测元素从Be开始
- 分析性能完全符合ISO15632:2002国际标准
- 探头优化专利技术保证探测晶体的最佳性能
- 无与伦比的INCAx-stream脉冲处理器保证在不同计数率下的分析性能的稳定性
拥有大面积探测晶体的INCAPentaFET-x3尤其适合以下工作条件:
- 正常束流下的高效分析
- 低加速电压的成分分析
- 低束流下的成分分析
- 纳米结构分析
- 生物样品
- 轻元素分析
- 对电子束辐照损伤敏感的样品
- 含水或其他挥发性成分的样品