液氮制冷Si(Li)探头 : INCAPentaFET-x3

液氮制冷Si(Li)探头 : INCAPentaFET-x3

INCAPentaFET-x3是牛津仪器最新的30mm2有效面积的高性能Si(Li)能谱系统,分辨率与10mm2探头完全相同。在相同的工作条件下,INCAPentaFET-x3具有更高的计数率和工作效率和最优秀的分析性能。
  • 性能优势
  • 应用领域
  • 更广泛的应用领域,从低计数率到高计数率
  • 比10mm2能谱系统高达3倍的工作效率
  • 或在1/3的束流下获得与10mm2能谱系统相同的计数率
  • 低束流下更小的辐照损伤和样品污染
  • 优秀的低能分析性能
  • 有保证的能量分辨率
  • 1k-10kcps谱峰和分辨率变化<1eV
  • 探测元素从Be开始
  • 分析性能完全符合ISO15632:2002国际标准
  • 探头优化专利技术保证探测晶体的最佳性能
  • 无与伦比的INCAx-stream脉冲处理器保证在不同计数率下的分析性能的稳定性
拥有大面积探测晶体的INCAPentaFET-x3尤其适合以下工作条件:
  • 正常束流下的高效分析
  • 低加速电压的成分分析
  • 低束流下的成分分析
  • 纳米结构分析
  • 生物样品
  • 轻元素分析
  • 对电子束辐照损伤敏感的样品
  • 含水或其他挥发性成分的样品
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