沉积SiO2—沉积二氧化硅
- PECVD
- TEOS
- ICP CVD
- ALD
- 注释
使用PlasmaProTMSystem100 PECVD进行SiO2沉积的不同工艺：
- 高沉积速率
- 无掺杂(光学波导管)
- 锗掺杂(光学波导管)
- 高品质
- 产品生产
工艺参数：
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沉积温度 |
典型温度范围 300-400°C |
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沉积速率： |
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高沉积速率 |
> 230 nm/min |
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无掺杂 |
> 230 nm/min |
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锗掺杂 |
> 230 nm/min |
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高品质 |
> 40 nm/min |
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产品生产 |
> 40 nm/min |
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均匀性： |
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高沉积速率 |
100mm < ± 3% (5mm 剔除区) |
150mm < ± 4% (5mm 剔除区) |
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无掺杂 |
100mm < ± 3% (5mm 剔除区) |
150mm < ± 4% (5mm 剔除区) |
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锗掺杂 |
100mm < ± 3% (5mm 剔除区) |
150mm < ± 4% (5mm 剔除区) |
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高品质 |
100mm < ± 2% |
7x2" 批量处理 < ± 2% (7mm 剔除区) |
200mm < ± 4% |
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产品生产 |
100mm < ± 3% (5mm 剔除区) |
150mm < ± 4% (5mm 剔除区) |
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重复性 |
< ± 2% |
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折射率 (测量使用的光波长为632.8nm) |
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高沉积速率 |
1.458 -1.500 |
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无掺杂 |
1.458 -1.500 |
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锗掺杂 |
1.458 -1.500 公差 0.2%-1.3% |
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高品质 |
1.46 (1.46-1.50可控) |
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产品生产 |
1.458 -1.500 |
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均匀性 |
< ± 0.005 (200mm) |
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工艺特点：
- 可对单个晶片控制沉积速率和折射率。
- 可提高光学薄膜特性的均匀性。
- 适合对有磷化铟（InP）层的衬底进行300°C的PECVD处理。
- 可以为后续的干式刻蚀工艺提供耐用的掩模材料。
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沉积速率： |
> 30 nm/min |
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均匀性 |
100 mm |
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折射率 (测量使用的光波长为632.8nm) |
1.44 – 1.46 |
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均匀性 |
< ± 0.001 |
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重复性 |
< ± 0.001 |
- 保形的阶梯覆盖。
- 良好的阶梯覆盖且无空隙及纳米裂缝。
- 通过可选的高频或低频（或混合）的能量控制薄膜的应力。
- 低N－H键含量可以制备厚达1550nm的低耗薄膜。
- 低应力处理工艺可以使晶片的沉积厚度超过50m。
工艺参数：
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沉积速率 |
> 30 nm/min |
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批处理数量 |
up to: 43 x 2" 19 x 3" 10 x 100mm 7 x 125mm 4 x 150mm 2 x 200mm |
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速率均匀性1 |
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晶片内部2 150 mm 200 mm 5 x 4” 批量处理 |
< ±3% (5mm excl zone) < ±4% (10mm excl zone) < ±4% (10mm excl zone) |
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不同晶片间3 |
< ±2% |
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不同批次间4 |
< ±2% |
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折射率(测量使用的光波长为632.8nm) |
1.44-1.46 (Controllable) |
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均匀性5 |
< ±0.001 |
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重复性6 |
< ±0.001 |
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1. 速率均匀性定义：±[(最大值－最小值)/ (2 x平均值)] x 100% 2. 测定晶片内部均匀性使用的单个晶片直径12英寸 3. 不同晶片间均匀性指的是同一批次中，各个晶片均匀性平均值的平均值 4. 不同批次间均匀性指的是连续5批次的均匀性的平均值 5. 折射率均匀性的计算方法请参考附注部分 6. 不同批次间均匀性指的是连续5批次的均匀性的平均值 |
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工艺参数：
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沉积速率 |
> 8 nm/min |
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均匀性： |
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4" 晶片 6" 晶片 |
< ± 3% (设备状态最优时± 1.5%) |
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折射率(测量使用的光波长为632.8nm) |
~ 1.46 |
使用PlasmaProTMSystem 100-ICP180进行低温ICP-CVD的SiO2沉积
工艺参数：
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高速率 |
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沉积速率 |
> 8 nm/min |
> 70 nm/min (曾经出现120nm/min的纪录) |
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均匀性 |
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2" 晶片 |
< ± 1.5% (7mm 剔除区) < ± 2.5% (7mm 剔除区) |
< ± 1.5% (7mm 剔除区) < ± 2.5% (7mm 剔除区) |
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4" 晶片 |
< ± 2.5% (7mm 剔除区) < ± 3.5% (5mm 剔除区) |
< ± 2.5% (7mm 剔除区) < ± 3.5% (5mm 剔除区) |
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6" 晶片 |
< ± 5% (7mm 剔除区) |
< ± 5% (7mm 剔除区) |
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折射率 (测量使用的光波长为632.8nm) |
~ 1.46 (可控) |
~ 1.46 (可控) |
工艺特点：
- 可对单个晶片控制沉积速率和折射率。
- 可提高光学薄膜的特性的均匀性。
- 可在低温下得到非常致密的薄膜。
- 即使在温度敏感的衬底上也可减少对沉积薄膜的损伤。
使用FlexAL®进行SiO2等离子体原子层沉积
工艺参数：
| 周期 | ~ 9 seconds |
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厚度均与性1 100 mm 150 mm 200 mm |
< ±1.0%2 < ±2.0%3 < ±3.0%4 |
| 折射率 | 1.42—1.44 |
1. 以上给出的数据对应于高频薄膜。
2. 低应力值的测量精度高度依赖于以下条件：
- 薄膜沉积前后晶片曲率的测量精度
- 应力测量所用的晶片的品质和预应力处理
- 要求薄膜厚度足够厚(>5000Å)以便得到可精确测量的晶片曲率
3. 以上结果是在硅衬底上进行实验得到的。
4. 进行下一次处理前，需要对处理室进行清洁和调节，以获得最优的重复性。推荐的最小调节厚度为2000-3000A。牛津仪器公司将依据客户系统的应用和目的，为其提供详细的处理室清洁和调节流程。
5. 均匀性测量标准定义：
| 晶片内部均匀性测量如下图所示5个点的数据： | 不同批次的均匀性(重复性)通过求取连续5个批次的晶片的平均值获得。 |
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折射率均匀性，计算方法为：
折射率均匀性，计算方法为：
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