二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD)技术
- Ionfab 300Plus
- Optofab3000
- 注释
| 二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD)技术 使用 Ionfab300Plus (LC)进行二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD) 预清洁：35cm的源可以对最大200mm的衬底进行预清洁 沉积用气体：Ar，O2 最大直径200mm的晶片 |
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性能参数总结：
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处理室基本气压a |
<3e-7 Torr |
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进样基本气压b |
<1e-5 Torr |
a. 经12小时80°C的烘烤。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟，也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。
工艺参数
1. 衬底旋转和倾斜的SiO2 沉积
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参数/工艺 |
SiO2 沉积 |
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靶(尺寸=200mm) |
SiO2 |
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反应气体 |
Ar+SiO2 |
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沉积速率[nm/min] |
0.5 to 6.5nm/min |
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8”晶片的均匀性[±%]1, 2 |
< ± 2% |
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重复性[±%] |
< ± 3 |
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应力(压缩)2 |
< 500MPa |
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注释： 1. 边缘5mm范围除外，均匀性的定义见后文 2. 在沉积速率为最大值的50％以下时可以保证应力和均匀性的结果 |
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| 使用Optofab3000进行二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD) |  |
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| Optofab3000 | Optofab3000 SiO2 uniformity |
工艺参数
- 使用Optofab3000进行二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD)
- 沉积用气体：Ar，O2
- 最大直径200mm的晶片
- 性能参数总结：
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处理室基本气压a |
<3e-7 Torr |
|
进样基本气压 |
<1e-5 Torr |
a. 经12小时80°C的烘烤。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟，也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。
工艺参数
1. 衬底旋转和倾斜的SiO2 沉积
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参数/工艺 |
SiO2 沉积 (高速率) |
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靶(尺寸=200mm) |
SiO2 |
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反应气体 |
Ar+O2 |
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沉积速率[nm/min] |
1.5 to 22nm/min |
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折射率(测量使用的光波长为632.8nm) |
1.4868 |
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超过75mm的厚环上的均匀性[±%] |
< ± 0.5 |
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超过10mm的厚环放置在半径75mm的衬底中心处的均匀性 [±%] |
< ± 0.1 |
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均匀性超过200mm (无遮挡)1, 2 |
< ± 3 |
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重复性[±%] |
< 3 |
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应力(压缩)2 |
< 500MPa |
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注释： 1. 边缘5mm范围除外，均匀性的定义见后文 2. 在沉积速率为最大值的50％以下时可以保证应力和均匀性的结果 |
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附加注释：
1. 需要对处理室进行常规的清洁和调节，有时需要对处理室进行清洗。
2. 均匀性测量标准定义：
1. 需要对处理室进行常规的清洁和调节，有时需要对处理室进行清洗。
2. 均匀性测量标准定义：
| 晶片内部均匀性测量如下图所示5个点的数据： | 不同批次的均匀性(重复性)通过求取连续5个批次的晶片的平均值获得。 |
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折射率均匀性的计算方法如下：
 折射率均匀性的计算方法如下：
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