等离子体增强化学气相沉积和化学气相沉积SiGe—沉积锗硅
10微米厚的锗硅表明优异的接触孔填充
通过在450oC下的多层工艺，采用等离子体增强化学气相沉积多晶锗硅（采用100纳米厚的等离子体增强化学气相沉积的非晶锗硅种子层来避免在SiO2上较长的酝酿期 / 采用化学气相沉积锗硅结晶化种子层用于随后的低温等离子体增强化学气相沉积多晶锗硅生长）
• 薄膜电阻率：1×10-3 欧姆•厘米
• 接触电阻率 SiGe/Al 在6×10-6 至9×10-5欧姆•厘米之间
• 应力： -5兆帕
• 化学气相沉积锗硅可以在450oC下以20纳米/分钟的速率生长
• 等离子体增强化学气相沉积微晶锗硅可以在300° - 400° C下以10-20纳米/分钟的速率沉积
• 欧洲微电子中心专利和专利工艺
