沉积SiC—沉积碳化硅

碳化硅等离子体增强化学气相沉积原理图

技术:

• 平行板反应室
• 喷淋头进气口
• 基于硅烷的工艺

结果:

• 速率：大于50纳米/分钟
• 均匀性：在200mm直径范围内公差+ 4 %
• 可重复性：公差+/- 2 %
• 应力：小于150 兆帕
• 折射率：大约2.6（2.4-2.7）
• 良好的耐湿法腐蚀性