沉积PolySi—沉积多晶硅
Si 低压化学气相沉积速率（纳米/分钟）VS 温度（oC）580oC-620oC 过渡区
低压化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积多晶硅
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技术：
• 平行板反应室
• 喷淋头进气口
• 基于硅烷的工艺
结果:
• 在650oC下低压化学气相沉积多晶硅
• 速率40纳米/分钟
• 均匀性：100mm直径晶片内公差小于+/-2 %
• 对刚沉积的薄膜进行X射线衍射和拉曼分析可以证明薄膜具有结晶
性质：
晶粒尺寸大于100nm，结晶度大于80%
• 多晶硅薄膜倾向于沿<110>方向生长，结晶化沿<111>方向
