沉积ITO—沉积铟锡氧化物—磁控溅射

沉积速率

> 30nm min1 (旋转关)

> 2nm min1 (旋转开)

折射率

1.95 - 2.10

膜厚均匀性

100mm

< ± 3% (旋转开)

< ± 5% (旋转关)

150mm

< ± 5% (旋转开)

< ± 15% (旋转关)

1. 均匀性定义：+ [(最大值－最小值)/(2´平均值)] ´100%

2. 6mm剔除区

3. 使用200mm的磁电管

4. 厚度和均匀性的测量是基于硅衬底进行的