离子束沉积VaO( 5 - x )--沉积氧化钒 Deposition

采用钒金属靶材和氧气辅助的离子束沉积

沉积速率将取决于沉积薄膜的电学性能要求。 为获得最高的质量，通常使用较低的速率。

• 沉积均匀性：直径8英寸范围内公差小于± 2 %
• 电阻率：0.03-2000 欧姆•厘米
• 电阻均匀性：公差± 3 %
• 零孔隙度二氧化硅覆盖层
• 沉积速率：大于20纳米/分钟
• 沉积均匀性：直径8英寸范围内公差小于± 2 %
• 折射率：632.8nm处为1.4868，1550纳米处为1.4738
• 薄膜应力： 小于300兆帕的压应力