等离子体增强化学气相沉积DLC—沉积类金刚石膜
非晶类金刚石薄膜界面
使用PlasmaPro System133 RIE沉积DLC
工艺参数
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批处理数量： |
硅晶片数量可达20 x 2", 5 x 100mm, 4 x 125mm |
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沉积速率 |
> 45nm/min |
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均匀性 |
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晶片内部 |
< ± 5% 单个150mm (边缘剔除7mm) |
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不同晶片间 |
< ± 10% 4 x 125mm |
- 工艺特点
工艺特点
- 使用PlasmaPro System133 RIE沉积得到的DLC石膜具有非常高的击穿场强（例如120nm厚的石膜可以承受高达1750V 的电压），低漏电率以及高硬度。这些特性使这些DLC石膜非常适合作为高压设备的钝化材料。
- PlasmaPro System133 RIE可以同时作为沉积与刻蚀DLC石膜的工具。它拥有大面积的电极，允许批量处理。为了大批量生产以及使用方便，可加装盒式的晶片装载附件。
- PlasmaPro System133 RIE使用了光学发射式分析仪器对等离子体清洁及刻蚀时间进行优化，保证最高的生产效率。
