工艺优势:
处理温度范围宽低电阻率高反射率低表面粗糙度
应用:
金属互连硬掩模
技术:
磁控溅射旋转台
速率:
5千瓦下50纳米/分钟
均匀性
6”英寸晶片范围内公差±5%
优异的台阶覆盖率
光滑的表面
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