等离子体刻蚀是一种用于制造集成电路的等离子体处理形式。 它涉及到一种射向（脉冲形式）样品的某种适当混合气体辉光放电（等离子体）产生的高速粒子流。被称为蚀刻物质的等离子体源可以是带电的（离子）或中性的（原子和自由基）。

在此过程中，等离子体将在室温下产生来自于被刻蚀材料元素和等离子体产生的活性粒子之间发生化学反应的挥发性刻蚀产物。最终，被射出的元素的原子嵌入或深入到目标的表面，从而改变目标的物理性质。