纳尺度生长
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牛津仪器提供广泛的纳尺度材料生长的工艺解决方案。
纳尺度特征可以通过生长技术（从下往上）和刻蚀（从上往下）来形成。Nanofab系统是瞄准生长来满足纳米技术的市场。
纳尺度生长工艺涵盖：
• 纳米管/纳米线
• 纳尺度薄膜
Nanofab系统的工艺优势
- 纳米管及纳米线的可控生长
- 等离子体对催化剂进行预处理以利于生长
- 退火温度可以高达800 °C
- 可以进行大面积薄膜沉积并拥有非常好的均匀性的等离子体增强化学气相沉积（PECVD），沉积速率高，并可以对薄膜的折射率、应力、导电性、湿法刻蚀速率等特性进行控制
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纳米结构材料 |
C, Si, Ge, ZnO, Ga2O3, GaN, GaAs, GaP, InP, InN |
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PECVD薄膜 |
SiO2, SiNx, a-Si, SiON, poly-Si, SiC |
牛津仪器的纳尺度生长工具
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特征 |
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样品台尺寸 |
最大到200mm晶片 |
最大到200mm晶片 |
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真空进样室 |
已安装 |
已安装 |
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液体源的兼容性 |
兼容 |
兼容 |
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发生器频率范围 |
射频（13.56兆赫兹），低频（50-460千赫兹） |
射频（13.56兆赫兹），低频（50-460千赫兹） |
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一般的等离子体增强化学气相沉积工艺 |
氧化物、氮化物、氮氧化物、非晶硅 |
氧化物、氮化物、氮氧化物、非晶硅 |
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催化剂预处理 |
能 |
能 |
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纳米材料工艺 |
碳纳米管、硅、氧化锌纳米管 |
碳纳米管、硅、氧化锌纳米管 |
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样品台温度范围 |
室温至700oC |
室温至800oC |
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温度变化 |
普通的变温速率 |
非常高的变温速率 |
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氧气气氛的兼容性（<400oC） |
兼容 |
兼容 |
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氧气气氛的兼容性（>400oC） |
兼容 |
不兼容 |
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用于安装的额外电源 |
需要 |
需要 |
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用于安装的额外气体管线 |
不需要 |
需要 |
