离子束刻蚀—离子束刻蚀

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相关产品:

Ionfab 300Plus

工艺类型

IBE--惰性气体离子束刻蚀
RIBE--反应离子束刻蚀
CAIBE--化学辅助离子束刻蚀

硬件
• 可选择15厘米和35厘米射频离子源
• 高电流中和器
• 最大到8英寸的可旋转和可倾斜的衬底压盘,含加热器和冷却器
• 可选择单片真空进样室和箱到箱多片手柄
• 模块化设计,易于配置成一个多功能工具组
• 随超净间可变的接口配置
• 用于结束点探测的二次离子质谱配件

重点应用
• GaAs光电子
• 微波集成电路
• InP激光器光学
• 薄膜磁头/磁随机存储器
• SAW(表面声波)器件
• 掩模制作

优点                                  
• 优异的均匀性
• 最大的应用适应范围
• 工艺可重复性
• 低成本

牛津仪器的离子束刻蚀工具

 

工具配件

Ionfab 300Plus (SC) 

Ionfab 300Plus (LC)

压盘尺寸 

最大到4英寸晶片

最大到8英寸晶片

压盘旋转

最高20/分钟

最高20/分钟

 压盘倾角

-90º +75 º

-90º +75 º

压盘温度

10ºC300ºC

10ºC300ºC

离子源

15厘米射频离子源 

35厘米射频离子源

 

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