刻蚀工艺

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有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持， 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了世界上最强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力。

请与我们联系，讨论您的特定需求，我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的刻蚀工艺和工具，以满足您的需求。

 

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化合物半导体
刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓
深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓
刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓
刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓
刻蚀GaN—刻蚀氮化镓
刻蚀InSb—刻蚀锑化铟
刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷
刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷
刻蚀InP—刻蚀磷化铟
刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝
刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷
刻蚀ZnSe—反应离子刻蚀硒化锌
电介质
刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽
刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石
GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术
感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋
反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物
干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂
干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂
刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅
刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅
刻蚀SiC—刻蚀碳化硅
 
金属
刻蚀Al—感应耦合等离子体刻蚀铝
溅射刻蚀Au—溅射刻蚀金
刻蚀Cr—刻蚀铬
Cu刻蚀（反应离子刻蚀）—刻蚀铜
刻蚀Mo—刻蚀钼
刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）—刻蚀铌
刻蚀Ni—刻蚀镍
离子束刻蚀Ni—刻蚀镍铬合金
溅射刻蚀Pt—溅射刻蚀铂
刻蚀Ti—超大刻蚀深度
刻蚀Ta—刻蚀钽
刻蚀W—刻蚀钨
TiN的各向异性刻蚀—刻蚀氮化钛
WSi刻蚀—硅化钨刻蚀
有机物
刻蚀PMMA—刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯
感应耦合等离子体刻蚀BCB—刻蚀苯并环丁烯
刻蚀金刚石—金刚石的刻蚀
刻蚀聚酰亚胺—聚酰亚胺的刻蚀
聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀
刻蚀PR—刻蚀光刻胶
硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）—硅烷化光刻胶
硅
博施刻蚀Si—博施刻蚀硅
低温刻蚀Si—低温刻蚀硅
混合刻蚀Si—八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅
HBr刻蚀Si—溴化氢刻蚀硅
各向同性刻蚀Si—硅的各向同性刻蚀
刻蚀SiGe——刻蚀锗硅
绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀
 
 
 

 

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绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀
聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀
WSi刻蚀—硅化钨刻蚀
刻蚀Ti—超大刻蚀深度
Ta2O5 刻蚀——五氧化二钽刻蚀
绝缘材料上的硅的多步刻蚀（ Bosch）技术
硅化钨（WSi）刻蚀技术
钛（Ti）深刻蚀技术
镍（Ni）的离子束刻蚀
GST刻蚀——锗锑碲化物ICP刻蚀
刻蚀SiGe——刻蚀锗硅
外延生长AlN—用于III-V氮化物外延的氮化铝层
刻蚀SiGe—刻蚀锗硅
各向同性刻蚀Si—硅的各向同性刻蚀
HBr刻蚀Si—溴化氢刻蚀硅
混合刻蚀Si—八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅
低温刻蚀Si—低温刻蚀硅
博施刻蚀Si—博施刻蚀硅
硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）—硅烷化光刻胶
刻蚀PR—刻蚀光刻胶
刻蚀PMMA—刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯
刻蚀聚酰亚胺—聚酰亚胺的刻蚀
刻蚀金刚石—金刚石的刻蚀
感应耦合等离子体刻蚀BCB—刻蚀苯并环丁烯
刻蚀W—刻蚀钨
TiN的各向异性刻蚀—刻蚀氮化钛
刻蚀Ta—刻蚀钽
在反应离子刻蚀或感应耦合等离子体系统中溅射刻蚀Pt—溅射刻蚀铂
离子束刻蚀Ni—刻蚀镍铬合金
刻蚀Ni—刻蚀镍
刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）—刻蚀铌
刻蚀Mo—刻蚀钼
用于失效分析的Cu刻蚀（反应离子刻蚀）—刻蚀铜
刻蚀Cr—刻蚀铬
溅射刻蚀Au—溅射刻蚀金
刻蚀Al—感应耦合等离子体刻蚀铝
刻蚀SiC—刻蚀碳化硅
刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅
刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅
干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂
干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂
反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物
感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋
刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石
刻蚀ZnSe—反应离子刻蚀硒化锌
刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷
刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝
刻蚀InP—刻蚀磷化铟
刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷
刻蚀InSb—刻蚀锑化铟
刻蚀GaN—刻蚀氮化镓
刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓
刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓
深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓
刻蚀AlGaN/GaN/AlN——刻蚀氮化铝镓
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