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原子层沉积(ALD)是一种真正的"纳米"技术,以精确控制的方式沉积几个纳米的超薄薄膜。 原子层沉积的两个限定性特征--自约束的原子逐层生长和高度保形镀膜--给半导体工程,微机电系统和其他纳米技术应用提供了许多好处。
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原子层沉积的优点
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原子层沉积周期 |
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1. TMA源 |
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远程等离子体原子层沉积的优点 除了具有热原子层沉积的优点,远程等离子体允许更广泛地选择用作源的化学品,同时还提高薄膜质量:
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2. TMA清洗 |
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原子层沉积的应用 包括:
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3. O2等离子体 |
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4.短时间的后期O2等离子体清洗 |
牛津仪器的原子层沉积工具
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特征 |
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衬底 |
最大到200mm直径晶片,小片可直接装载 |
最大到200mm直径晶片,小片需放置在一块载片板上 |
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鼓泡的液体和固体源 |
最多3个 |
最多4个 |
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最高的源温度 |
200oC(外套) |
200oC(烘箱和外套) |
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晶片传送(包括源坩埚) |
包括 |
包括 |
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具有快速传送系统的质量流量计控制的气体管线 |
内部2个,外部最多8个安装好的气箱 |
外部最多8个安装好的气箱 |
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等离子体 |
配件/现场升级 |
配件 |
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进样 |
开放进样 |
真空进样室或进样盒 |
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和其他工艺模块的联接 |
不能 |
可以-包括作为特殊配件的第三方MESC模块 |
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载片台的温度范围 |
25ºC – 400ºC |
25ºC – 400ºC (550ºC 可选备件) |
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椭偏仪端口 |
有 |
有 |
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Swagelok10毫秒快速脉冲原子层沉积阀 |
有 |
有 |